ASML的担忧似乎成真了。ASML首席执行官曾表示，美国的制裁可能会促使中国自主研发出先进的技术。当时许多人认为这只是恭维之词，甚至有人觉得他是为了销售光刻机而吹捧中国。然而，不到两年时间，国产光刻机再次实现了重大突破。
中科院成功研发出了全固态DUV光源技术，这项技术可以用于制造3nm芯片，并且得到了国际光电工程学会的认可。这一突破迅速引起了芯片行业的关注，因为它与ASML的技术路线完全不同，打破了欧美光刻机的传统思路。
光刻机的三大核心技术包括光源系统、光学系统和双工作台，其中光源系统直接决定了光刻机的分辨率和精度。EUV和DUV是两种主要的光源技术。在ASML的技术路线中，DUV光刻机通常用于制造7nm以上的芯片，而EUV光刻机才能制造7nm以下的芯片。由于EUV光刻机非常复杂，只有ASML能够生产。
美国试图通过控制ASML来限制中国芯片技术的发展。然而，中科院的固态DUV光源技术打破了这种局面。传统DUV和EUV光刻机使用稀有气体产生激光，而中科院的技术则采用固态晶体产生光源。这一转变带来了三大技术突破。
